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          利亞得半導體真空回流焊氮氣爐 晶圓回流焊

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          利亞得半導體真空回流焊氮氣爐 晶圓回流焊

          • 詳細介紹

          利亞得半導體真空回流焊氮氣爐 晶圓體回流焊


          一、LIEADI LUNA SMT半導體真空回流焊簡(jiǎn)介

          1、分別有6、8、10和12 區空氣或氮氣型號、350oC 最高溫度、靈活的平臺配置、低氮氣和低功耗以及全面的菜單,在眾多同行中,LIEADI 既是業(yè)內功能最全制造者,也是最具性?xún)r(jià)比。

          2、 LIEADI 回流焊爐的設計和制造旨在應對當今的無(wú)鉛工藝和未來(lái)的挑戰。憑借其無(wú)與倫比的熱性能、多功能性,努力為世界一流的生產(chǎn)設定了行業(yè)標準。 

          3、利亞得半導體回流焊制造商,用于晶圓、基板植球、FC

          4、LIEADI 提供優(yōu)化的無(wú)鉛加工, 提高生產(chǎn)力和效率。LIEADI 獨有的閉環(huán)對流控制,提供精確的加熱和冷卻控制、恒定的熱傳遞、最大的過(guò)程控制和減少的氮消耗,擁有業(yè)內最低制造成本。


          半導體真空回流焊.jpg


          二、半導體真空回流焊特點(diǎn):

          多點(diǎn)氣體采集系統、風(fēng)機閉環(huán)控制、過(guò)溫保護系統、不銹鋼內部結構、獨立過(guò)溫保護系統、

          高效助焊回收系統、加熱絲、加熱馬達5年質(zhì)保、支持100PPM以下氧含量控制;


          真空氮氣爐.jpg


          三、氣密性

          為了保證穩定的氣氛含量,從而對再流焊接設備的氣密性提出更高的要求和指標。通常影響設備氣密性的因素有設備材料、結構設計及氣氛監控手段等。


          氣密性.jpg


          四、精準控溫

          精準控溫能力各溫區之間的溫度指標,同一溫區的溫度均勻性指標,爐內溫度與環(huán)境溫度之間的相互影響等多重因素。


          精準控溫.jpg


          五、防靜電設計

          靜電放電會(huì )對集成電路造成損傷,主要表現于造成介質(zhì)擊穿,芯片內熱二次擊體積擊穿,表面擊穿等,使集成電路徹底損壞,或由于靜電引起的潛在損害。

          穿,針對于以上損害,我們將設備摩擦電壓,固定部件對地電阻,機臺漏電電壓移動(dòng)部件對地電阻等各項數值,都穩定在低于國際防靜電要求之內。


          防靜電設計



          六、軟件系統

          利亞得軟件解決方案可以對設備系統進(jìn)行可靠控制和監控智能軟件解決方案由監控工具和支持各種任務(wù)的多種模塊組成。

          主軟件能夠編輯和評估數據,例如保持特定的參數恒定


          軟件系統.jpg



          七、熱效率

          包含各溫區設定溫度與板載溫度的溫差指標主要影響要素有:風(fēng)道結構設計、加熱模組構成、溫區隔熱性能等


          熱效率.jpg


          八、傳送系統

          隨著(zhù)元器件小型化、微型化和焊接速度的相對矛盾加劇,運輸系統的穩定性成為再流焊接重要指標之一。震動(dòng)會(huì )造成移位、

          吊橋、冷焊等缺陷;網(wǎng)帶振動(dòng)率,在鏈速達到150cm/min,振動(dòng)率在1g以?xún)取?/span>


          傳送系統.jpg

          九、SMT半導體真空回流焊參數


          SMT半導體真空回流焊參數.jpg

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